Publisher's Note: "Charge decay characteristics of silicon-oxide-nitride-oxide-silicon structure at elevated temperatures and extraction of the nitride trap density distribution" [ Appl. Phys. Lett. 85 , 660 ( 2004 ) ]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2004-11, Vol.85 (20), p.4807-4807
Hauptverfasser:	Kim, Tae Hun, Sim, Jae Sung, Lee, Jong Duk, Shin, Hyung Cheol, Park, Byung-Gook
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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