Exchange biasing of the ferromagnetic semiconductor Ga1−xMnxAs

We demonstrate the exchange coupling of a ferromagnetic semiconductor (Ga1−xMnxAs) with an overgrown antiferromagnet (MnO). Unlike most conventional exchange biased systems, the blocking temperature of the antiferromagnet (TB=48±2K) and the Curie temperature of the ferromagnet (TC=55.1±0.2K) are com...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2004-08, Vol.85 (9), p.1556-1558
Hauptverfasser:	Eid, K. F., Stone, M. B., Ku, K. C., Maksimov, O., Schiffer, P., Samarth, N., Shih, T. C., Palmstrøm, C. J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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