Reduction of dislocations in GaN epilayers grown on Si(111) substrate using SixNy inserting layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2004-08, Vol.85 (9), p.1502-1504
Hauptverfasser:	Lee, Kang Jea, Shin, Eun Ho, Lim, Kee Young
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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