OPTICAL PROPERTIES AND THERMAL BEHAVIOR OF NEW ABSORPTION BANDS IN OXYGEN-DOPED SILICON IRRADIATED AT LOW TEMPERATURES

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied Physics Letters (U.S.) 1966-03, Vol.8 (6), p.131-132
1. Verfasser:	Whan, R. E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ABSORPTION DEFECTS ELECTRON BEAMS IMPURITIES INFRARED RADIATION OXYGEN PHYSICS RADIATION EFFECTS SILICON Solid State Physics SPECTRA TEMPERATURE VACANCIES
Online-Zugang:	Volltext
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