A MOSFET Gate with 100 dB Carrier Suppression

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Rev. Sci. Instrum. 41: 1096-7(Jul 1970) 1970-01, Vol.41 (7), p.1096-1097
Hauptverfasser:	Moores, B. Michael, Munnings, Ron H., Armstrong, Robin L.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CIRCUITS DESIGN FIELD EFFECT TRANSISTORS GATING CIRCUITS GATING SYSTEMS/design of MOSFET, with 100 dB carrier suppression MOS TRANSISTORS MOSFET N26400 -Instrumentation-Miscellaneous Instruments & Components N33130 -Physics (Solid State)-Moessbauer Effects & NMR NUCLEAR MAGNETIC RESONANCE RADIOFREQUENCY SPECTROMETERS/circuit for pulsed NMR, MOSFET gate SPECTROMETERS TRANSISTORS
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