Improved Etching Technique for SiC

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 1968-01, Vol.39 (11), p.5332-5333
1. Verfasser:	Shaffer, P. T. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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