Temperature dependence of intersubband transitions in InAs/AlSb quantum wells

We have carried out a systematic temperature-dependent study of intersubband absorption in InAs/AlSb quantum wells from 5 to 10 nm well width. The resonance energy redshifts with increasing temperature from 10 to 300 K, and the amount of redshift increases with decreasing well width. We have modeled...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2003-11, Vol.83 (19), p.3936-3938
Hauptverfasser:	Larrabee, D. C., Khodaparast, G. A., Kono, J., Ueda, K., Nakajima, Y., Nakai, M., Sasa, S., Inoue, M., Kolokolov, K. I., Li, J., Ning, C. Z.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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