Epitaxial growth of Fe3Si/GaAs(001) hybrid structures

Epitaxial growth of Fe3Si/GaAs(001) hybrid structures

We have established an optimized growth temperature range, namely, 150 °C

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2003-11, Vol.83 (19), p.3912-3914
Hauptverfasser: Herfort, Jens, Schönherr, Hans-Peter, Ploog, Klaus H.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:We have established an optimized growth temperature range, namely, 150 °C
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.1625426