Electrical and chemical characterization of the Schottky barrier formed between clean n-GaN(0001) surfaces and Pt, Au, and Ag

Platinum, gold, and silver formed abrupt, unreacted, smooth, and epitaxial metal–semiconductor interfaces when deposited from the vapor onto clean, n-type GaN(0001) films. The Schottky barrier heights, determined from data acquired using x-ray photoelectron spectroscopy, ultraviolet photoelectron sp...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2003-09, Vol.94 (6), p.3939-3948
Hauptverfasser:	Tracy, K. M., Hartlieb, P. J., Einfeldt, S., Davis, R. F., Hurt, E. H., Nemanich, R. J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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