Effect of composition on the band gap of strained InxGa1−xN alloys

The band gap of pseudomorphically strained InxGa1−xN alloys has been measured using optical absorption spectroscopy. X-ray diffraction measurements indicated that the in-plane lattice parameter of the InxGa1−xN film equaled that of the underlying GaN layer. For strained InxGa1−xN, it was determined...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2003-04, Vol.93 (7), p.4340-4342
Hauptverfasser:	McCluskey, M. D., Van de Walle, C. G., Romano, L. T., Krusor, B. S., Johnson, N. M.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

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