Erratum: “Origin of improved luminescence efficiency after annealing of Ga(In)NAs materials grown by molecular-beam epitaxy” [Appl. Phys. Lett. 79 , 1094 (2001)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2001-10, Vol.79 (17), p.2850-2850
Hauptverfasser:	Li, Wei, Pessa, Markus, Ahlgren, Tommy, Dekker, James
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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