Selective Si epitaxial growth technique employing atomic hydrogen and substrate temperature modulation

Selective Si epitaxial growth technique employing atomic hydrogen and substrate temperature modulation

We present here a low-temperature (Ts

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2001-10, Vol.79 (14), p.2181-2183
Hauptverfasser: Schroeder, T. W., Ma, P. F., Lam, A. M., Zheng, Y.-J., Engstrom, J. R.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:We present here a low-temperature (Ts
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.1408271