High-quality strain-relaxed SiGe alloy grown on implanted silicon–on–insulator substrate

We report on the growth and characterization of high-quality strain-relaxed SiGe alloys on a compliant silicon–on–insulator (SOI) substrate. The annealing temperature required for strain transfer has been reduced through boron implantation to the buried oxide, leading to a high quality SiGe alloy fr...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-05, Vol.76 (19), p.2680-2682
Hauptverfasser:	Huang, F. Y., Chu, M. A., Tanner, M. O., Wang, K. L., U’Ren, G. D., Goorsky, M. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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