Double-dot charge transport in Si single-electron/hole transistors

We studied transport through ultrasmall Si quantum-dot transistors fabricated from siliconon-insulator wafers. At high temperatures, 4

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-03, Vol.76 (12), p.1591-1593
Hauptverfasser:	Rokhinson, L. P., Guo, L. J., Chou, S. Y., Tsui, D. C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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