Double-dot charge transport in Si single-electron/hole transistors

Double-dot charge transport in Si single-electron/hole transistors

We studied transport through ultrasmall Si quantum-dot transistors fabricated from siliconon-insulator wafers. At high temperatures, 4

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 2000-03, Vol.76 (12), p.1591-1593
Hauptverfasser: Rokhinson, L. P., Guo, L. J., Chou, S. Y., Tsui, D. C.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:We studied transport through ultrasmall Si quantum-dot transistors fabricated from siliconon-insulator wafers. At high temperatures, 4
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.126105