Van der Waals xenotaxy: Oriented growth of hexagonal GaSe(001) on rectangular GaAs(110)

The growth of the layered chalcogenide GaSe on cleaved GaAs(110) surfaces was investigated with photoemission and low-energy electron diffraction (LEED). GaSe films grow with their c axis perpendicular to the GaAs(110) surface. LEED patterns after initial film growth are a superposition of rectangul...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2000-02, Vol.76 (9), p.1101-1103
Hauptverfasser:	Rudolph, R., Tomm, Y., Pettenkofer, C., Klein, A., Jaegermann, W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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