Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors
A quantum dot infrared photodetector (QDIP) consisting of self-assembled InGaAs quantum dots has been demonstrated. Responsivity of 3.25 mA/W at 9.2 μm was obtained for nonpolarized incident light on the detector with a 45° angle facet at 60 K. The QDIPs exhibit some unique electro-optic characteris...
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Veröffentlicht in: | Applied physics letters 1998-11, Vol.73 (21), p.3153-3155 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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