Measurement of piezoelectrically induced charge in GaN/AlGaN heterostructure field-effect transistors

Electron concentration profiles have been obtained for AlxGa1−xN/GaN heterostructure field-effect transistor structures. Analysis of the measured electron distributions demonstrates the influence of piezoelectric effects in coherently strained layers on III-V nitride heterostructure device character...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1997-11, Vol.71 (19), p.2794-2796
Hauptverfasser:	Yu, E. T., Sullivan, G. J., Asbeck, P. M., Wang, C. D., Qiao, D., Lau, S. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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