Lattice parameters of gallium nitride

Lattice parameters of gallium nitride were measured using high-resolution x-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single crystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers, (iii) heteroepitaxial layers (wurtzite structure) on silicon carbide, on sapphire, and...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1996-07, Vol.69 (1), p.73-75
Hauptverfasser:	Leszczynski, M., Teisseyre, H., Suski, T., Grzegory, I., Bockowski, M., Jun, J., Porowski, S., Pakula, K., Baranowski, J. M., Foxon, C. T., Cheng, T. S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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