Femtosecond dephasing in porous silicon

We determine dephasing times T2 in free standing porous silicon samples using nondegenerate four-wave mixing. Within the framework of an idealized inhomogeneously broadened two-level system, values of 20 fs for different porosities are obtained. Fast energy relaxation times are found in the range of...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1996-06, Vol.68 (23), p.3296-3298
Hauptverfasser:	Tomasiunas, R., Moniatte, J., Pelant, I., Gilliot, P., Hönerlage, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!