Erratum: ‘‘Enhancement of low-temperature critical epitaxial thickness of Si(100) with ion beam sputtering’’ [Appl. Phys. Lett. 62 , 570 (1993)]

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1993-07, Vol.63 (1), p.120-120
Hauptverfasser:	Smith, Donald L., Chen, Chau-Chen, Anderson, Greg B., Hagstrom, Stig B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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