Optimum Si-Si1− x Ge x structures with strong infrared spectra

We have identified symmetrically strained Si-Si1−xGex superlattices with optimum strength infrared spectra in the range 50–300 meV. The growth structure parameters required for implementing such systems are provided.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Applied physics letters 1990-02, Vol.56 (8), p.767-769
Hauptverfasser: Turton, R. J., Jaros, M.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:We have identified symmetrically strained Si-Si1−xGex superlattices with optimum strength infrared spectra in the range 50–300 meV. The growth structure parameters required for implementing such systems are provided.
ISSN:0003-6951
1077-3118
DOI:10.1063/1.102708