Effect of SiGe channel on pFET variability in 32 nm technology

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2012-03, Vol.48 (5), p.273-274
Hauptverfasser:	YUAN, X, ZHANG, Q, TRAN, H, FOX, S, SHERONY, M
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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