Light emitting diodes based on GaN core/ shell wires grown by MOVPE on n-type Si substrate

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2011-06, Vol.47 (13), p.765-767
Hauptverfasser:	BAVENCOVE, A.-L, SALOMON, D, LE SI DANG, GILET, P, LAFOSSAS, M, MARTIN, B, DUSSAIGNE, A, LEVY, F, ANDRE, B, FERRET, P, DURAND, C, EYMERY, J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Optoelectronic devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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