High temperature λ~4 µm In 0.7 Ga 0.3 As/In 0.34 Al 0.66 As quantum cascade lasers grown by MOVPE

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2011-04, Vol.47 (9), p.559-561
Hauptverfasser:	Revin, D.G., Kennedy, K., Commin, J.P., Qiu, Y., Walther, T., Cockburn, J.W., Krysa, A.B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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