Surface passivation of AlN/GaN MOS-HEMTs using ultra-thin Al 2 O 3 formed by thermal oxidation of evaporated aluminium

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2010-02, Vol.46 (4), p.301-302
Hauptverfasser:	Taking, S., Banerjee, A., Zhou, H., Li, X., Khokhar, A.Z., Oxland, R., McGregor, I., Bentley, S., Rahman, F., Thayne, I., Dabiran, A.M., Wowchak, A.M., Cui, B., Wasige, E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!