Erratum for ‘Over 1500 V/2 A operation of GaN RESURF-MOSFETs on sapphire substrate’

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2009-07, Vol.45 (14), p.764-764
Hauptverfasser:	Niiyama, Y., Kambayashi, H., Ootomo, S., Nomura, T., Kato, S., Chow, T.P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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