High-power and long-lifetime InGaN blue-violet laser diodes grown by molecular beam epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electronics letters 2008-02, Vol.44 (5), p.351-353
Hauptverfasser: TAN, W. S, KAUER, M, HOOPER, S. E, BARNES, J. M, ROSSETTI, M, SMEETON, T. M, BOUSQUET, V, HEFFERNAN, J
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-5194
1350-911X
DOI:10.1049/el:20083456