Application of lightly doped drain structure to AlGaN/GaN HEMTs by ion implantation technique

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Veröffentlicht in:	Electronics letters 2008-11, Vol.44 (23), p.1378-1379
Hauptverfasser:	SUITA, M, NANJO, T, OISHI, T, ABE, Y, TOKUDA, Y
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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