Reduced temperature sensitivity of lasing wavelength in near-1.3 µm InAs/GaAs quantum-dot laser with stepped composition strain-reducing layer

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Electronics letters 2007-06, Vol.43 (12), p.670-672
Hauptverfasser:	Liu, H.Y., Badcock, T.J., Jin, C.Y., Nabavi, E., Groom, K.M., Hopkinson, M., Mowbray, D.J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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