Effects of AlGaN/GaN HEMT structure on RF reliability

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2005-02, Vol.41 (3), p.155-157
Hauptverfasser:	Lee, C., Witkowski, L., Tserng, H.-Q., Saunier, P., Birkhahn, R., Olson, Dan, Olson, Don, Munns, G., Guo, S., Albert, B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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