1.3 µm InAs/GaAs multilayer quantum-dot laser with extremely low room-temperature threshold current density

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Electronics letters 2004-10, Vol.40 (22), p.1412-1413
Hauptverfasser:	Sellers, I.R., Liu, H.Y., Groom, K.M., Childs, D.T., Robbins, D., Badcock, T.J., Hopkinson, M., Mowbray, D.J., Skolnick, M.S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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