High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2004-06, Vol.40 (12), p.775-776
Hauptverfasser:	Shiojima, K., Makimura, T., Kosugi, T., Sugitani, S., Shigekawa, N., Ishikawa, H., Egawa, T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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