Microwave noise performances of AlGaN/GaN HEMTs on semi-insulating 6H-SiC substrates

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electronics letters 2004-01, Vol.40 (1), p.80-81
Hauptverfasser: Lee, J.-W., Kumar, V., Schwindt, R., Kuliev, A., Birkhahn, R., Gotthold, D., Guo, S., Albert, B., Adesida, I.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-5194
1350-911X
DOI:10.1049/el:20040012