High performance 0.25 µm gate-length AlGaN/GaN HEMTs on 6H-SiC with power density of 6.7 W/mm at 18 GHz

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Electronics letters 2003-10, Vol.39 (22), p.1609-1611
Hauptverfasser:	Kumar, V., Lee, J.-W., Kuliev, A., Aktas, O., Schwindt, R., Birkhahn, R., Gotthold, D., Guo, S., Albert, B., Adesida, I.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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