Static frequency divider circuit using 0.15 µm gate length Si 0.2 Ge 0.8 /Si 0.7 Ge 0.3 p -MODFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Electronics letters 2003-03, Vol.39 (6), p.570-572
Hauptverfasser: Singh, D.V., Koester, S.J., Chu, J.O., Jenkins, K.A., Mooney, P.M., Ouyang, Q.C., Ruiz, N., Ott, J.A., Ralston, D., Wetzel, M., Asbeck, P.M., Saenger, K.L., Patel, V.V., Grill, A.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-5194
1350-911X
DOI:10.1049/el:20030353