2 Gbit/s transimpedance amplifier fabricated by0.35 µmCMOS technologies

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2001-09, Vol.37 (19), p.1158-1160
Hauptverfasser:	Kuo, Chin-Wei, Hsiao, Chao-Chih, Yang, Shih-Cheng, Chan, Yi-Jen
Format:	Artikel
Sprache:	eng
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