Solution-deposited Zr-doped AlOx gate dielectrics enabling high-performance flexible transparent thin film transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices Materials for optical and electronic devices, 2013-01, Vol.1 (27), p.4275
Hauptverfasser:	Yang, Wooseok, Song, Keunkyu, Jung, Yangho, Jeong, Sunho, Moon, Jooho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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