Effect of sulphur vacancy on geometric and electronic structure of MoS2 induced by molecular hydrogen treatment at room temperature

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	RSC advances 2013, Vol.3 (40), p.18424
Hauptverfasser:	Kim, Byung Hoon, Park, Min, Lee, Minoh, Baek, Seung Jae, Jeong, Hu Young, Choi, Min, Chang, Sung Jin, Hong, Won G., Kim, Tae Kyung, Moon, Hoi Ri, Park, Yung Woo, Park, Noejung, Jun, Yongseok
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!