Non-volatile transistor memory fabricated using DNA and eliminating influence of mobile ions on electric properties

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of materials chemistry 2011-01, Vol.21 (39), p.15575
Hauptverfasser:	Yukimoto, Tomoyoshi, Uemura, Sei, Kamata, Toshihide, Nakamura, Kazuki, Kobayashi, Norihisa
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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