Scalable high-mobility MoS 2 thin films fabricated by an atmospheric pressure chemical vapor deposition process at ambient temperature

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Nanoscale 2014, Vol.6 (21), p.12792-12797
Hauptverfasser:	Huang, Chung-Che, Al-Saab, Feras, Wang, Yudong, Ou, Jun-Yu, Walker, John C., Wang, Shuncai, Gholipour, Behrad, Simpson, Robert E., Hewak, Daniel W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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