Nanosheet-based complementary transistors with a 48 nm pitch

An industry-applicable fabrication flow for complementary field-effect transistors could pave the way for future logic scaling.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nature electronics 2023-12, Vol.6 (12), p.933-934
1. Verfasser: Wang, Yeliang
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:An industry-applicable fabrication flow for complementary field-effect transistors could pave the way for future logic scaling.
ISSN:2520-1131
2520-1131
DOI:10.1038/s41928-023-01090-z