Gate-tunable memristive phenomena mediated by grain boundaries in single-layer MoS2

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nature nanotechnology 2015-04, Vol.10 (5), p.403-406
Hauptverfasser:	Sangwan, Vinod K., Jariwala, Deep, Kim, In Soo, Chen, Kan-Sheng, Marks, Tobin J., Lauhon, Lincoln J., Hersam, Mark C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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