Gate-tunable memristive phenomena mediated by grain boundaries in single-layer MoS2
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Veröffentlicht in: | Nature nanotechnology 2015-04, Vol.10 (5), p.403-406 |
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Hauptverfasser: | , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 1748-3387 1748-3395 |
DOI: | 10.1038/nnano.2015.56 |