Molecular Doping Control at a Topological Insulator Surface: F 4 -TCNQ on Bi 2 Se 3

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of physical chemistry. C 2014-07, Vol.118 (27), p.14860-14865
Hauptverfasser:	Wang, J., Hewitt, A. S., Kumar, R., Boltersdorf, J., Guan, T., Hunte, F., Maggard, P. A., Brom, J. E., Redwing, J. M., Dougherty, D. B.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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