Trapping and Recombination Properties of the Acceptor-like V Zn -H Complex Defect in ZnO

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of physical chemistry. C 2013-02, Vol.117 (8), p.4299-4303
Hauptverfasser: Senthilkumar, K., Subramanian, M., Ebisu, H., Tanemura, M., Fujita, Y.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:1932-7447
1932-7455
DOI:10.1021/jp312209c