Copper(I) tert-Butyl 3-Oxobutanoate Complexes as Precursors for Chemical Vapor Deposition of Copper

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Chemistry of materials 1998-09, Vol.10 (9), p.2326-2328
Hauptverfasser:	Choi, Hyungsoo, Hwang, Soontaik
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Chemical vapor deposition (including plasma-enhanced cvd, mocvd, etc.) Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Metals. Metallurgy Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
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