Solution-Processable LaZrO x /SiO 2 Gate Dielectric at Low Temperature of 180 °C for High-Performance Metal Oxide Field-Effect Transistors

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2014-11, Vol.6 (21), p.18693-18703
Hauptverfasser:	Je, So Yeon, Son, Byeong-Geun, Kim, Hyun-Gwan, Park, Man-Young, Do, Lee-Mi, Choi, Rino, Jeong, Jae Kyeong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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