Memory Window Ratio Enhancement of p-Type WSe 2 Memtransistors Using Dielectric GeSe 2 Nanosheets with Asymmetric Interfaces for Neuromorphic Computing

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied nano materials 2023-09, Vol.6 (17), p.15632-15640
Hauptverfasser:	Wang, Mengna, Lv, Yingjie, Li, Shasha, Zhao, Jiarong, Cao, Dingwen, Luo, Gaoli, Jiang, Yurong, Song, Xiaohui, Yan, Yong, Xia, Congxin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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