Si–MoS 2 Vertical Heterojunction for a Photodetector with High Responsivity and Low Noise Equivalent Power

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2019-02, Vol.11 (7), p.7626-7634
Hauptverfasser:	Shin, Gwang Hyuk, Park, Junghoon, Lee, Khang June, Lee, Geon-Beom, Jeon, Hyun Bae, Choi, Yang-Kyu, Yu, Kyoungsik, Choi, Sung-Yool
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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